南麟代理商 LN8362 是高端低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，集成欠压锁死、死区自适应功能，适用于同步降压、升降压和半桥拓扑，支持多种封装，绿色环保。(南麟电子代理)

描述：

LN8362 是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。

LN8362 内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。

LN8362 内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。

LN8362 采用SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。

特征：

电源VCC工作范围：4V~15V

SW最高电压：60V

内置自举二极管

固定死区时间

兼容3.3V/5V/15V输入信号

UVLO时EN端输出低电平

内建死区自适应功能来防止FET交叉导通

EN端可同时关断上下两个MOSFET

VCC，BST欠压保护功能

绿色环保无卤，满足ROHS标准

应用：

半桥/全桥转换器

同步降压、升降压拓扑

电子烟、无线充MOSFET驱动器

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